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STB20NM60中文资料

STB20NM60图片

STB20NM60外观图

  • 大小：355.14KB
  • 厂家：STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
  • 描述：N-CHANNEL 600V - 0.25ohm - 20A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK MDmesh?Power MOSFET
  • 典型关断延迟时间：42 ns
  • 典型接通延迟时间：25 ns
  • 典型栅极电荷@Vgs：39 nC V @ 10
  • 典型输入电容值@Vds：1500 pF V @ 25
  • 安装类型：表面贴装
  • 宽度：9.35mm
  • 封装类型：D2PAK
  • 尺寸：10.4 x 9.35 x 4.6mm
  • 引脚数目：3
  • 最低工作温度：-65 °C
  • 最大功率耗散：192000 mW
  • 最大栅源电压：±30 V
  • 最大漏源电压：600 V
  • 最大漏源电阻值：0.29
  • 最大连续漏极电流：20 A
  • 最高工作温度：+150 °C
  • 每片芯片元件数目：1
  • 类别：功率 MOSFET
  • 通道模式：增强
  • 通道类型：N
  • 配置：单
  • 长度：10.4mm
  • 高度：4.6mm

STB20NM60供应商

更新时间:2023-01-28 21:15:34
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